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罗姆汽车-且采用底部电极封装的MOSFET

周杰伦新歌

但是,此次,羅姆通過利用獨有的Wettable Flank成型技術,確保了封裝側面電極部分的高度(130µm)符合汽車應用,從而確保了即使是底部電極組件的焊料質量也能保持一致,可在產品安裝后的自動檢查機器可以輕易驗證安裝后的焊料條件。

(圖片來源:羅姆官網)近年來,汽車安裝了越來越多的ADAS攝像頭等汽車安全和便利系統,但是此類系統受安裝空間的限制,對較小部件的需求也越來越多。為滿足此類需求,在保持高電流的前提下,有望進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET受到了人們的關注。但是,對於汽車應用來說,在裝配過程中為了保證質量需要進行光學檢查,但是,對於底部電極封裝組件來說,安裝后無法驗證焊料的高度,因而很難確定安裝條件。

關鍵特性1、  專有的Wettable Flank技術確保封裝測量電極部分高度為130µm

例如,在電流為2.0A,功耗為0.6W時,傳統的車用級MOSFET安裝面積比SBD的少30%。而且採用底部電極封裝的MOSFET,散熱性更好,同時不僅可實現小型化,還可實現大電流。因此,與傳統的SBD相比,其安裝面積可削減78%,與普通的MOSFET相比,安裝面積可削減68%。

近年來,肖特基勢壘二極管(SBD)被廣泛用於ADAS攝像頭模塊的反接保護電路中。但是,由於先進汽車系統中的高分辨率攝像頭需要更大的電流,SBD正日益被緊湊型MOSFET取代,因為MOSFET導電電阻低且產生的熱量少。

羅姆的Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架加入切割再進行電鍍的技術。但是,引線框架的高度越高越容易產生毛刺,因此,羅姆研發了一種獨特的方法,在引線框架的整個表面都設置了用來減少毛刺的阻擋層,不僅可以防止組件在安裝時產生傾斜和焊接不良,而且作為DFN1616(1.6 x1.6毫米)封裝產品,是業界首個保證封裝側面電極部分高度為130µm的產品。

訊 據外媒報道,當地時間7月24日,日本半導體製造商羅姆(ROHM)宣布推出超級緊湊,尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)產品,可提供優越的安裝可靠性。該系列產品符合汽車電子可靠性標準AEC-Q101,即使在極端工作條件下,也可確保車用級可靠性和性能。此外,該產品採用了羅姆獨有的封裝加工技術,有助於實現ADAS攝像頭模塊等汽車電子設備的小型化。

2、緊湊型底部電極MOSFET,可減少安裝面積

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